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英特尔在1平方毫米中塞下1亿个晶体管——其实就是10nm制程
2021-05-17 [93213]
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(公共编号:)对科技媒体来说,里程碑一词频繁出现的频率非常低,可爱的整数和某周年纪念日是点击量的确保。本周二,英特尔也因芯片巨头逻辑技术部副主席KaizadMistry宣布,他们已经有能力在1平方毫米中插入1亿个晶体管。这意味着业界历史上没有前例。没错。

这也是里程碑式的变革。在同一面积内插入更多晶体管意味着电路设计可以有效减肥,不仅可以降低芯片的生产成本,还可以在同一体积上获得更多功能。这个里程碑式的新闻出现在英特尔的第一个技术和生产日活动中,在这次活动中,我们不仅要看芯片巨头的芯片布局和PCB技术,还要听到令人兴奋的论点摩尔法则,至少英特尔是这样的。

1平方毫米中塞下,1亿个晶体管只是文艺的不同意见,用专业名词来说,这是我们已经听说过很多次的10nm。!这也叫里程碑吗?配备小龙835(10nm),GalaxyS8发售缓慢。

但是,英特尔真的不服,指出现在友商口的所谓的10nm,已经使用了美图秀秀的磨皮版,隐藏了栅极间隔、晶体管密度等重要指标,自己的14nm技术与所谓的10nm相当。今年1月,在总结英特尔10nm芯片路线图时,芯片巨头尚未公开发布晶体管的明确尺寸。但是,本周,最后的数据再次明确,英特尔的10nm节点使鳍片的间隔为34nm,比金属间隔大的是36nm(这2个数据在14nm节点分别为42nm和52nm)。

在这次活动中,MarkBohr(技术结构和统一资深研究员)必须改变踢法。英特尔想和三星、台积游戏数字游戏,之后英特尔必须用密度测量法定义技术节点。

如果用这个标准来计算的话,英特尔近年来会加倍晶体管的密度。举个例子,22nm的演化为14nm时,晶体管密度提高了2.5倍,4nm的演化为10nm时,密度提高了2.7倍。最重要的是,10nm芯片在运算速度和功耗下发生了小变化(Bohr更加重视后者的表现)。但是,英特尔这种测量方法能否在整个行业实施仍然是未知的。

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EETimes访问了很多业界相关人员,不知道的台积电发言人说:英特尔是怎么计算的有点暗。举个例子,他们的第一代,14nm,Broadwell芯片每平方毫米有1840万个晶体管,但是换成了新的测量方式,晶体管为什么突然变成了3750万个晶体管?英特尔玩文字游戏吧?因此,英特尔口中的1亿个晶体管仍然可以被刺伤。然而,芯片巨头仍然特别强调,每次技术节点升级都可以使晶体管数量在同一面积翻一番。

英特尔称这种升级策略为微克。英特尔的Ruth、Brain回应,在14nm的小费上,公司开始用于自对准双曝光技术(SADP)的技术。

SADP是多重光学技术的一种,通过该技术芯片可以使用193nm的沉浸式光刻技术生产。Brain指出其他公司的多曝光技术更简单,光刻再次有点偏离。需要注意的是,该技术的关键是雕刻机每次曝光都要找到同一个地方,如果经常出现偏差,芯片的表现和良好率会受到影响,SADP技术可以避免这个问题。

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在10nm芯片上,英特尔还配备了对准四重曝光技术(SAQP),将来这个技术将用于芯片巨头的7nm芯片。当然,未来极紫外光刻技术(EUV)也有可能不转入芯片生产领域,原本的193nm紫外光将增加到13.5nm。在解释新技术突破时,工程师总是讨厌在淡写过程中遇到的困难。

摩尔法则的有趣之处在于它的构建似乎是命中注定的,但其中的困难很难用语言来描述,大大突破需要创造性。Mistry说。Mistry回答说,目前FinFET的晶体管是业界的基准,但2011年可能不会过时。

在芯片行业,每次进一步困难,一旦做好,当然这就是摩尔法则的魔力。Via.Spectrum。


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